產(chǎn)品名稱

中文名稱:   純進(jìn)口HQ graphene硒化鉬晶體

英文名稱：HQ graphene MoSe2 (2H Molybdenum Diselenide)

產(chǎn)品概述

MoSe2（2H 相）是一種間接帶隙為 ~1.1 eV 的半導(dǎo)體。這些層通過(guò)范德華相互作用堆疊在一起，并且可以剝離成薄的 2D 層。MoSe2 屬于 VI 族過(guò)渡金屬硫族化合物 （TMDC）。HQ Graphene 生產(chǎn)的 2H 相二硒化鉬晶體的典型橫向尺寸為 ~0.8-1 cm，呈六邊形，具有金屬外觀。 我們生產(chǎn) p 型和 n 型 MoSe2，在室溫下的典型電荷載流子密度為 ~1015 cm-3，p 型為 ~10 18 cm-3 或更高。

MoSe2 (2H phase) is a semiconductor having an indirect band gap of ~1.1 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. MoSe2 belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H phase Molybdenum Diselenide crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. We produce both p-type and n-type MoSe2, having a typical charge carrier density of ~1015cm-3 at room temperature and the p-type ~1018cm-3 and higher.

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:6-10 mm

顏色: 銀灰色

產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties：Semiconductor, n-type

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應(yīng)用領(lǐng)域

在電子學(xué)領(lǐng)域：

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）：由于其出色的電學(xué)特性，可用于制造高性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。例如，在集成電路中，基于硒化鉬晶體的 FET 能夠?qū)崿F(xiàn)更小的尺寸和更低的功耗。

在能源領(lǐng)域：

太陽(yáng)能電池：可以作為太陽(yáng)能電池的吸收層材料，提高光電轉(zhuǎn)換效率。比如在薄膜太陽(yáng)能電池中，硒化鉬晶體能夠有效地吸收太陽(yáng)光并轉(zhuǎn)化為電能。

電池電極材料：用作鋰離子電池或鈉離子電池的電極材料，具有較高的比容量和良好的循環(huán)穩(wěn)定性。

在催化領(lǐng)域：

析氫反應(yīng)（HER）催化劑：在電解水制氫過(guò)程中，作為析氫反應(yīng)的催化劑，降低反應(yīng)的過(guò)電位，提高產(chǎn)氫效率。

二氧化碳還原反應(yīng)（CO?RR）催化劑：有助于將二氧化碳轉(zhuǎn)化為有用的化學(xué)品或燃料。

在傳感器領(lǐng)域：

氣體傳感器：對(duì)某些氣體具有敏感性，可用于檢測(cè)氣體的濃度和成分。例如，檢測(cè)環(huán)境中的有害氣體如氨氣、硫化氫等。